DVC21XX系列產(chǎn)品內(nèi)部包含了AFE和 32 位 MCU 核心。該系列基于自身在高精度ADC及高可靠性MCU的技術(shù)能力，結(jié)合客戶(hù)需求以及市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展所研發(fā)。
| 芯片型號(hào) | 電池節(jié)數(shù) | 外部測(cè)溫通道數(shù) | 集成MCU | ADC特性 | 硬件保護(hù) | 充放電驅(qū)動(dòng) | 通信接口 | 其他特色 | 封裝類(lèi)型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DVC2108P8 | 4~8 | 6 | ARM CORTEX M0+內(nèi)核; 64KB Flash; 8KB SRAM | 16位ΣΔADC電壓溫度采集 16位ΣΔADC電流采集CC1 20位ΣΔADC電流采集CC2 | 均衡/過(guò)壓/欠壓/短路/充放電過(guò)流1級(jí)/充放電過(guò)流2級(jí)/內(nèi)核過(guò)溫 | 高邊驅(qū)動(dòng) NMOS 低邊驅(qū)動(dòng) NMOS | I2C | 預(yù)充/預(yù)放電控制、充放電快速關(guān)斷硬線(xiàn)控制;充電器檢測(cè)、負(fù)載檢測(cè)、斷線(xiàn)檢測(cè)、充電器及負(fù)載喚醒、I2C喚醒、小電流喚醒、MOS體二極管保護(hù) | LQFP48 |
| DVC2114PA | 4~14 | 6 | ARM CORTEX M0+內(nèi)核; 128KB Flash; 16KB SRAM | 16位ΣΔADC電壓溫度采集 16位ΣΔADC電流采集CC1 20位ΣΔADC電流采集CC2 | 均衡/過(guò)壓/欠壓/短路/充放電過(guò)流1級(jí)/充放電過(guò)流2級(jí)/內(nèi)核過(guò)溫 | 高邊驅(qū)動(dòng) NMOS 低邊驅(qū)動(dòng) NMOS | I2C | 預(yù)充/預(yù)放電控制、充放電快速關(guān)斷硬線(xiàn)控制;充電器檢測(cè)、負(fù)載檢測(cè)、斷線(xiàn)檢測(cè)、充電器及負(fù)載喚醒、I2C喚醒、小電流喚醒、MOS體二極管保護(hù) | LQFP64 |
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